Tranzistor ct 825 - je to polovodičové zařízení používané v elektronických obvodech a zařízeních. Je jedním z nejběžnějších tranzistorů na světě díky svým vynikajícím technickým vlastnostem a všestrannosti. Tranzistor CT825 poskytuje zesílení elektrických signálů a může také sloužit jako klíčový prvek pro regulaci a přepínání proudu.
Zvláštností tranzistoru CT825 je jeho nízký odpor zapnutí a vypnutí, který umožňuje jeho použití ve vysokofrekvenčních obvodech a zařízeních. Díky této funkci poskytuje tranzistor rychlou a přesnou regulaci elektrického signálu. Tranzistor CT825 má navíc nízkou hlučnost a vysokou provozní stabilitu.
SPECIFIKACE tranzistoru CT825 zahrnují následující parametry: maximální výkon, maximální kolektorový proud, maximální napětí emitoru kolektoru, zisk proudu a úroveň tepelné stability. Tranzistor CT825 může pracovat v širokém rozsahu teplot a udržovat si své technické vlastnosti po dlouhou dobu.
Tranzistor CT825 našel široké uplatnění v různých elektronických zařízeních a obvodech, jako je rádio, stabilizátory napětí, zesilovače zvuku a mnoho dalších. Díky svým vysokým technickým vlastnostem a spolehlivosti je tranzistor CT825 základním prvkem mnoha elektronických systémů a je schopen zajistit vysokou kvalitu signálu a spolehlivý provoz zařízení.
Účel a rozsah použití
Tranzistor CT825 je určen pro použití v různých elektronických zařízeních, kde je vyžadováno zesílení nebo přepínání elektrických signálů.
Jedním z hlavních způsobů použití tranzistoru CT825 je zesílení analogových a digitálních signálů v radioelektronice. Lze jej použít v rádiích, televizorech, audio zesilovačích a dalších audio a video zařízeních.
Tranzistor KT825 lze také použít v obvodech pro řízení silného zatížení, jako jsou elektromotory, žárovky a další elektrická zařízení. Má vysokou spolehlivost a je schopen vydržet značné proudy a napětí.
Tranzistor CT825 má širokou škálu aplikací, což z něj činí užitečnou součást v mnoha oblastech elektroniky a automatizace procesů.
Rozměry a konstrukce
Tranzistor CT825 odkazuje na typový polovodičový přístroj, který je vyroben v plastovém pouzdře typu to-3 s kovovým zadním křídlem. Velikost tranzistoru udává jeho rozměry, tvar a konstrukci.
Tranzistor CT825 má následující typové parametry:
- Délka - 17 mm;
- Šířka - 10 mm;
- Výška: 6,8 mm.
Tělo tranzistoru má vysokou tepelnou účinnost díky přítomnosti kovového zadního křídla. To umožňuje efektivně odvádět teplo z polovodičového prvku a zabraňuje jeho přehřátí při práci ve zvýšeném zatížení.
Elektrické vlastnosti
Tranzistor CT825 má následující elektrické vlastnosti:
| Charakteristika | Hodnota |
|---|---|
| Maximální hodnota kolektoru (IC) | 10 a |
| Maximální hodnota zpětného napětí kolektor-emitor (vCEO) | 30 v |
| Maximální hodnota napětí emitoru základny (VEBO) | 10 V |
| Maximální hodnota proudu základny (IB) | 5 a |
| Konstantní zisk (hFE) | 20 až 60 |
| Maximální ztráta výkonu v otevřeném stavu (Ptot) | 20 W |
| Klasifikace podle tepelných vlastností | Až +150°C |
Před aplikací v elektronických obvodech se doporučuje seznámit se s elektrickými vlastnostmi tranzistoru CT825, aby bylo zajištěno správné fungování zařízení.
Maximální provozní parametry
Tranzistor CT825 má následující maximální pracovní parametry:
- Maximální hodnota napětí kolektoru-emitoru (UCE): 40 v
- Maximální hodnota proudu kolektoru (ik): 1 a
- Maximální hodnota proudu základny (Ib): 0.1 A
- Maximální disipační výkon (Hg): 0.8 W
- Maximální teplota přechodu p-n (Tj): 150 °C
- Maximální Teplota skladování (Tstg): -55. +150 °C
Tyto parametry určují omezení, v rámci kterých může tranzistor spolehlivě fungovat.
Řadič CT825 má řadu tepelných vlastností, které jsou důležité pro správnou funkci zařízení. Tepelný výkon tranzistoru zahrnuje maximální přípustnou teplotu čipu, tepelný odpor a maximální výkon.
Maximální povolená teplota čipu (Tjmax) označuje maximální teplotu, kterou může čip tranzistoru vydržet bez poškození. Pokud je tato teplota překročena, může dojít k selhání zařízení nebo dokonce k jeho selhání.
Tepelný odpor (Rθ) ukazuje, jak efektivně tranzistor odvádí teplo ze svého čipu do prostředí. Čím menší je hodnota tepelného odporu, tím lépe se tranzistor vyrovnává s odvodem tepla a je méně pravděpodobné, že se přehřeje. Tepelný odpor mezi čipem a pouzdrem tranzistoru (RθJC) a mezi pouzdrem a okolím (RθCS) je obvykle indikován v datashitu.
Maximální výkon (Pd) určuje maximální množství energie, kterou může tranzistor absorbovat bez přehřátí. Pokud výkon překročí uvedenou hodnotu, může se čip tranzistoru přehřát a selhat. Maximální výkon se obvykle udává při určité teplotě, například při 25 °C nebo při maximální přípustné teplotě čipu.
Tepelný výkon tranzistoru CT825 je uveden v tabulce níže:
| Charakteristika | Hodnota |
|---|---|
| Maximální přípustná teplota čipu (Tjmax) | 150 °C |
| Tepelný odpor mezi čipem a pouzdrem (RθJC) | 5 °C/W |
| Tepelný odpor mezi tělem a okolím (RθCS) | 45 °C/W |
| Maximální výkon (Pd) | 30 W |
Vzhledem k těmto tepelným vlastnostem je nutné zajistit dostatečné chlazení tranzistoru, aby se zabránilo jeho přehřátí a poškození při práci v extrémních podmínkách.